本实验室主要从事第三代半导体材料GaN体单晶的制备与性能研究。基于自制的GaN单晶生长设备，采用Na助熔剂-坩埚下降法制备高质量GaN单晶。实验室场地如下图所示。
先进电子材料与器件江西省重点实验室地址：江西南昌红角洲学府大道589号兴业楼7309室
